碳化硅(SiC) MOSFET使用一種全新技術(shù)，與硅相比，該技術(shù)提供了卓越的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外，低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。因此，系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括最高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。